描述
| 制程/工藝流程 | 材料/化學品 | 材料特性 | |
| 暫時性黏著層塗布
Temporary bonding glue coating (Release/adhesive layer coating) |
雷射剝離層
Release layer |
AAE68R2 | 優越的化學穩定性及良好的耐熱性；
1%材料裂解溫度 (Td) > 400oC |
| 暫時黏著層
Adhesive glue |
AAE68U3 | 優越的化學穩定性及良好的耐熱性；
1%材料裂解溫度 (Td) >330oC, 優於對比友商值~290oC)； 在70um暫時黏著層厚度條件，鍵合後的TTV ≤5um |
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| 介電層塗佈
Dielectric layer coating |
光敏聚醯亞胺 (PSPI) | PCL16P1 | 優越的化學穩定性及良好的耐熱性；
1%材料裂解溫度 (Td) >400oC； 可低溫固化； 最小解析度 = 3um； 顯影劑：環戊酮 (CPN) |
| 光阻/光刻膠塗布
PR coating |
DNQ-Novolac 光阻劑 (DNQ PR) | TD121 | 成本對比優於友商；
顯影劑：D500/四甲基氫氧化銨 (TMAH) 2.38% |
| 化學放大膠 (CAR PR) | TC061/TC201 | 最小解析度 = 1/1um；
顯影劑：D500/四甲基氫氧化銨 (TMAH) 2.38% |
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| 光阻/光刻膠去除
PR strip |
光阻剝除液 | BST5100
BST7116 |
非二甲基亞碸(DMSO)/N-甲基吡咯烷酮(NMP)/四甲基氫氧化銨(TMAH)；
具有高效的光阻剝除能力； 高wafer loading及成本競爭力 |
| 種子層蝕刻 | 銅刻蝕液 | CU101 | 客製化的蝕刻速率；
高bath loading及高bath life |
| 鈦刻蝕液 | TISE102 | ||
| 雷射加工制程：切割、開槽、鑽孔 | 雷射加工水溶性保護液 | LPS101 | 水溶性，容易去除 |
| 解膠/解鍵合 (剝除清洗) | 剝除雷射剝離層/暫時黏著層 | AAE101 | 容易去除，5分鐘內可完全將暫時黏著層剝除 |
